随着新能源汽车、5G 通信、数据中心等领域的快速发展，对半导体器件的功率密度、耐高温高压等性能提出更高要求，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体凭借禁带宽度大、击穿电场高等优势，成为产业升级的关键力量。然而，第三代半导体制造对设备与零部件的精度、稳定性要求严苛，设备与零部件的技术水平直接制约产业发展。

本次会议汇聚行业专家、企业代表与科研人员，围绕第三代半导体设备核心技术突破、零部件国产化替代路径展开研讨。探讨精密部件材料创新与工艺优化方案，并针对设备可靠性提升、产业链协同发展等议题展开交流，旨在加速技术攻关，完善产业生态，推动第三代半导体设备与零部件技术创新及产业化进程。