以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的关键材料，其性能优劣直接影响半导体器件的可靠性与应用效能。然而，当前第三代半导体材料生长速率慢、缺陷密度高，且制备工艺复杂，存在外延层均匀性差、掺杂控制难等问题，限制了产业规模化发展，亟需通过技术创新突破瓶颈。

本次会议邀请行业顶尖专家、科研学者与企业技术骨干，聚焦第三代半导体材料的晶体生长、外延制备、掺杂工艺等核心议题展开深入探讨。研讨会上，将分享大尺寸高质量衬底制备、先进外延技术等前沿成果，剖析工艺优化路径，共同探索材料性能提升与成本降低的解决方案，旨在加速技术成果转化，推动第三代半导体关键材料与制备工艺的创新发展，助力产业迈向新高度。